機械研磨と特殊技術の併用により、SiCウエハに対し

  • 潜傷を回避しつつ薄板化
  • C層が存在しない形での表面仕上げ

が可能となります。

以下はSiCウエハ薄板化過程における表面観察画像となります(400倍)。

  1. 厚さ: 347um

　2. 厚さ: 274um

　3. 厚さ: 227um

レシピによりC層のコントロールも可能となります。

SiC薄板化装置開発のご依頼ににつきましてはお問い合わせください。

レイズアールジャパン株式会社では、各種レーザ加工装置の開発・販売を行っております。